J111 Альтернативные части: J112-D27Z ,PN4091

J111ON Semiconductor

  • J111ON Semiconductor
  • J112-D27ZON Semiconductor
  • PN4091ON Semiconductor

В наличии: 7574

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    42.215824 ₽

    42.17 ₽

  • 10

    39.826223 ₽

    398.21 ₽

  • 100

    37.571896 ₽

    3,757.14 ₽

  • 500

    35.445179 ₽

    17,722.53 ₽

  • 1000

    33.438860 ₽

    33,438.87 ₽

Цена за единицу: 42.215824 ₽

Итоговая цена: 42.17 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
6 Weeks
-
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-92-3
-
-
Вес
201mg
201mg
201mg
Производитель идентификатор упаковки
TO-92 3L
-
-
Пороговая напряжённость / В
-35V
-
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Tape & Reel (TR)
Bulk
Опубликовано
2006
2006
2011
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
Through Hole
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
35V
40V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
625mW
Моментальный ток
50mA
50mA
30mA
Основной номер части
J111
J112
2N4091
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
625mW
Мощность - Макс
625mW
-
-
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
35V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
20mA
5mA
50mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-35V
-40V
Сопротивление стока к истоку
30Ohm
50Ohm
30Ohm
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
20mA @ 15V
5mA @ 15V
30mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
3V @ 1μA
1V @ 1μA
5V @ 1nA
Теперь
35V
-
-
Сопротивление - RDS(на)
30Ohms
50Ohm
30Ohm
Высота
5.33mm
-
-
Длина
5.2mm
-
-
Ширина
4.19mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Положение терминала
-
BOTTOM
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Режим работы
-
DEPLETION MODE
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
JUNCTION
-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
5 pF
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
-
16pF @ 20V