IXYK100N120C3 Альтернативные части: IXGK120N120A3

IXYK100N120C3IXYS

В наличии: 76

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2,757.460879 ₽
2,757.42 ₽
10
2,601.378228 ₽
26,013.74 ₽
100
2,454.130398 ₽
245,413.05 ₽
500
2,315.217308 ₽
1,157,608.65 ₽
1000
2,184.167294 ₽
2,184,167.31 ₽

Цена за единицу: 2,757.460879 ₽

Итоговая цена: 2,757.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXYK100N120C3	иIXGK120N120A3
Производитель:	IXYS	IXYS
Описание:	IGBT 1200V 188A 1150W TO264	IGBT 1200V 240A 830W TO264
Срок поставки от производителя	28 Weeks	30 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.2kV	1.2kV
Количество элементов	1	1
Условия испытания	600V, 100A, 1 Ω, 15V	960V, 100A, 1 Ω, 15V
Время отключения	123 ns	490 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	GenX3™, XPT™	GenX3™
Опубликовано	2011	2009
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Дополнительная Характеристика	AVALANCHE RATED	LOW CONDUCTION LOSS
Максимальная потеря мощности	1.15kW	830W
Код соответствия REACH	unknown	unknown
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	1.15kW	830W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	32 ns	40 ns
Мощность - Макс	1150W	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.2kV	1.2kV
Максимальный ток сбора	188A	240A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1200V	1200V
Время включения	122 ns	105 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.5V @ 15V, 100A	2.2V @ 15V, 100A
Время выключения (toff)	265 ns	1365 ns
Зарядная мощность	270nC	420nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	490A	600A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	32ns/123ns	40ns/490ns
Переключаемый энергопотребление	6.5mJ (on), 2.9mJ (off)	10mJ (on), 33mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	5V
Высота	26.59mm	-
Длина	20.29mm	-
Ширина	5.31mm	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Вес	-	10.000011g
Код JESD-609	-	e1
Безоловая кодировка	-	yes
Конечная обработка контакта	-	TIN SILVER COPPER
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Тип ИGBT	-	PT

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IXYB82N120C3H1	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264	Для сравнения
APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
IXYK120N120C3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 240A 1500W TO264	Для сравнения
IXGK120N120A3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 240A 830W TO264	Для сравнения