IXXK200N65B4 Альтернативные части: IXGK320N60A3 ,APT75GN60LDQ3G

IXXK200N65B4IXYS

  • IXXK200N65B4IXYS
  • IXGK320N60A3IXYS
  • APT75GN60LDQ3GMicrosemi Corporation

В наличии: 201

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 650V 370A 1150W TO264
IGBT 600V 320A 1000W TO264AA
Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Срок поставки от производителя
28 Weeks
30 Weeks
25 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-264-3, TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
Диэлектрический пробой напряжение
650V
600V
600V
Условия испытания
400V, 100A, 1 Ω, 15V
-
400V, 75A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Серия
GenX4™, XPT™
GenX3™
-
Опубликовано
2014
2009
1999
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
1.15kW
1kW
536W
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1.15kW
1kW
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
1150W
1000W
-
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
1.7V
1.25V
600V
Максимальный ток сбора
370A
320A
155A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 160A
1.25V @ 15V, 100A
1.85V @ 15V, 75A
Тип ИGBT
PT
PT
Trench Field Stop
Зарядная мощность
553nC
560nC
485nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
1000A
700A
225A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
62ns/245ns
-
47ns/385ns
Переключаемый энергопотребление
4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
-
2500μJ (on), 2140μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
30V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6.5V
5V
6.5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Вес
-
10.000011g
10.6g
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Время отключения
-
290 ns
385 ns
Код JESD-609
-
e1
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Конечная обработка контакта
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика
-
LOW CONDUCTION LOSS
HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
Число контактов
-
3
3
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
R-PSFM-T3
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
COLLECTOR
Время задержки включения
-
63 ns
47 ns
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Время включения
-
139 ns
95 ns
Время выключения (toff)
-
1870 ns
485 ns
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Прямоходящий ток коллектора
-
-
155A
Высота
-
-
5.21mm
Длина
-
-
26.49mm
Ширина
-
-
20.5mm
Корпусировка на излучение
-
-
No