Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXGH30N60C3D1 Альтернативные части: IXXH30N60C3D1
IXGH30N60C3D1IXYS
В наличии: 1391
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
642.831868 ₽
642.86 ₽
10
606.445192 ₽
6,064.42 ₽
100
572.118063 ₽
57,211.81 ₽
500
539.734011 ₽
269,867.03 ₽
1000
509.183091 ₽
509,183.10 ₽
Цена за единицу: 642.831868 ₽
Итоговая цена: 642.86 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 60A 220W TO247 | IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 28 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 300V, 20A, 5 Ω, 15V | 400V, 24A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | GenX3™ | GenX3™, XPT™ |
Опубликовано | 2009 | 2015 |
Код JESD-609 | e1 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Конечная обработка контакта | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - |
Максимальная потеря мощности | 220W | 270W |
Положение терминала | SINGLE | SINGLE |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | IXG*30N60 | - |
Число контактов | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Распад мощности | 220W | - |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 2.3V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 25ns | 25 ns |
Код JEDEC-95 | TO-247AD | TO-247AD |
Входной ёмкости | 915pF | - |
Время включения | 45 ns | 57 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 20A | 2.3V @ 15V, 24A |
Время выключения (toff) | 160 ns | 166 ns |
Зарядная мощность | 38nC | 37nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 150A | 110A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 16ns/42ns | 23ns/77ns |
Переключаемый энергопотребление | 270μJ (on), 90μJ (off) | 500μJ (on), 270μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | 5.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 |
Мощность - Макс | - | 270W |
Тип ИGBT | - | PT |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXXH30N60B3D1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT | Для сравнения |
 | AUIRGP35B60PD-E | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 308W TO247AD | Для сравнения |
| IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 160W TO247AC | Для сравнения |
| IXXH30N60C3D1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A | Для сравнения |