Все продукты

Войти
ПроизводителиЗапрос котировок Блогисвязаться с намикомпании AKCEL

Место отправки: Китай

+852-8177 7669
Главная /Каталог товаров /IXBT16N170A Против IXGT16N170AH1 /

IXBT16N170A Альтернативные части: IXGT16N170AH1 ,IXBT10N170

IXBT16N170AIXYS

  • IXBT16N170AIXYS
  • IXGT16N170AH1IXYS
  • IXBT10N170IXYS

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1,947.684615 ₽

    1,947.66 ₽

  • 10

    1,837.438283 ₽

    18,374.45 ₽

  • 100

    1,733.432404 ₽

    173,343.27 ₽

  • 500

    1,635.313516 ₽

    817,656.73 ₽

  • 1000

    1,542.748613 ₽

    1,542,748.63 ₽

Цена за единицу: 1,947.684615 ₽

Итоговая цена: 1,947.66 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иIXBT16N170AIXBT16N170A
иIXGT16N170AH1IXGT16N170AH1
иIXBT10N170IXBT10N170
Производитель:
IXYS
IXYS
IXYS
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
IGBT 1700V 16A 190W TO268
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Срок поставки от производителя
26 Weeks
8 Weeks
24 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес
4.500005g
4.500005g
4.500005g
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
1.7kV
1.7kV
1.7kV
Количество элементов
1
1
1
Условия испытания
1360V, 10A, 10 Ω, 15V
850V, 16A, 10 Ω, 15V
1360V, 10A, 56 Ω, 15V
Время отключения
220 ns
-
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Tube
Серия
BIMOSFET™
-
BIMOSFET™
Опубликовано
2000
2014
2003
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
2
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
PURE TIN
Дополнительная Характеристика
LOW SWITCHING LOSSES
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
1.7kV
-
-
Максимальная потеря мощности
150W
190W
140W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
not_compliant
-
unknown
Моментальный ток
16A
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Число контактов
4
4
4
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Not Qualified
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
150W
-
140W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Время задержки включения
15 ns
-
-
Применение транзистора
MOTOR CONTROL
MOTOR CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
1.7kV
5V
1.7kV
Максимальный ток сбора
16A
16A
20A
Время обратной рекомпенсации
360 ns
230 ns
360 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
1700V
1700V
1700V
Время включения
43 ns
97 ns
63 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
6V @ 15V, 10A
5V @ 15V, 11A
3.8V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)
370 ns
330 ns
1800 ns
Зарядная мощность
65nC
65nC
30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
40A
40A
40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
15ns/160ns
36ns/160ns
35ns/500ns
Переключаемый энергопотребление
1.2mJ (off)
900μJ (off)
6mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5.5V
5V
5V
Время падения максимальное (tf)
100ns
150ns
-
Высота
5.1mm
-
-
Длина
16.05mm
-
-
Ширина
14mm
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
-
Основной номер части
-
IXG*16N170
-
Мощность - Макс
-
190W
-
Тип ИGBT
-
NPT
-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

НаименованиеАртикулПроизводительКатегорияУпаковкаОписаниеДля сравнения
IXGT16N170AIXGT16N170AIXYSТранзисторы - IGBT - ОдиночныеTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Для сравнения
IXGT16N170AH1IXGT16N170AH1IXYSТранзисторы - IGBT - ОдиночныеTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAIGBT 1700V 16A 190W TO268 Для сравнения
IXBT10N170IXBT10N170IXYSТранзисторы - IGBT - ОдиночныеTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AATrans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 Для сравнения
APT25GR120SAPT25GR120SMicrosemi CorporationТранзисторы - IGBT - ОдиночныеTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAIGBT 1200V 75A 521W D3PAK Для сравнения
(0 шт.)

Он пуст.