Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXBT16N170A Альтернативные части: IXBT10N170 ,APT25GR120S
IXBT16N170AIXYS
В наличии: 300
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,947.684615 ₽
1,947.66 ₽
10
1,837.438283 ₽
18,374.45 ₽
100
1,733.432404 ₽
173,343.27 ₽
500
1,635.313516 ₽
817,656.73 ₽
1000
1,542.748613 ₽
1,542,748.63 ₽
Цена за единицу: 1,947.684615 ₽
Итоговая цена: 1,947.66 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK |
Срок поставки от производителя | 26 Weeks | 24 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Вес | 4.500005g | 4.500005g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.7kV | 1.7kV | 1.2kV |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Условия испытания | 1360V, 10A, 10 Ω, 15V | 1360V, 10A, 56 Ω, 15V | 600V, 25A, 4.3 Ω, 15V |
Время отключения | 220 ns | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Tube | Bulk |
Серия | BIMOSFET™ | BIMOSFET™ | - |
Опубликовано | 2000 | 2003 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | PURE TIN | - |
Дополнительная Характеристика | LOW SWITCHING LOSSES | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 1.7kV | - | - |
Максимальная потеря мощности | 150W | 140W | 521W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | unknown | - |
Моментальный ток | 16A | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 4 | 4 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Распад мощности | 150W | 140W | - |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR | - |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Время задержки включения | 15 ns | - | - |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.7kV | 1.7kV | 3.2V |
Максимальный ток сбора | 16A | 20A | 75A |
Время обратной рекомпенсации | 360 ns | 360 ns | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1700V | 1700V | 1200V |
Время включения | 43 ns | 63 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A | 3.8V @ 15V, 10A | 3.2V @ 15V, 25A |
Время выключения (toff) | 370 ns | 1800 ns | - |
Зарядная мощность | 65nC | 30nC | 203nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 40A | 40A | 100A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 15ns/160ns | 35ns/500ns | 16ns/122ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.2mJ (off) | 6mJ (off) | 742μJ (on), 427μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V | 30V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | 5V | 6.5V |
Время падения максимальное (tf) | 100ns | - | - |
Высота | 5.1mm | - | - |
Длина | 16.05mm | - | - |
Ширина | 14mm | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Мощность - Макс | - | - | 521W |
Тип ИGBT | - | - | NPT |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXGT16N170A | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
| IXGT16N170AH1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1700V 16A 190W TO268 | Для сравнения |
| IXBT10N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
 | APT25GR120S | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Для сравнения |