IXBT16N170AIXYS
В наличии: 300
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,947.684615 ₽
1,947.66 ₽
10
1,837.438283 ₽
18,374.45 ₽
100
1,733.432404 ₽
173,343.27 ₽
500
1,635.313516 ₽
817,656.73 ₽
1000
1,542.748613 ₽
1,542,748.63 ₽
Цена за единицу: 1,947.684615 ₽
Итоговая цена: 1,947.66 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Срок поставки от производителя | 26 Weeks | 19 Weeks | 26 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Вес | 4.500005g | - | 4.500005g |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.7kV | 1.2kV | 1.7kV |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Условия испытания | 1360V, 10A, 10 Ω, 15V | 600V, 25A, 4.3 Ω, 15V | 850V, 16A, 10 Ω, 15V |
Время отключения | 220 ns | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Bulk | Tube |
Серия | BIMOSFET™ | - | - |
Опубликовано | 2000 | 2001 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | LOW SWITCHING LOSSES | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 1.7kV | - | - |
Максимальная потеря мощности | 150W | 521W | 190W |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | not_compliant |
Моментальный ток | 16A | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 4 | - | 4 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Распад мощности | 150W | - | 190W |
Сокетная связка | COLLECTOR | - | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Время задержки включения | 15 ns | - | - |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | - | MOTOR CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.7kV | 3.2V | 1.7kV |
Максимальный ток сбора | 16A | 75A | 16A |
Время обратной рекомпенсации | 360 ns | - | 230 ns |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1700V | 1200V | 1700V |
Время включения | 43 ns | - | 97 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 10A | 3.2V @ 15V, 25A | 5V @ 15V, 11A |
Время выключения (toff) | 370 ns | - | 330 ns |
Зарядная мощность | 65nC | 203nC | 65nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 40A | 100A | 40A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 15ns/160ns | 16ns/122ns | 36ns/160ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.2mJ (off) | 742μJ (on), 427μJ (off) | 900μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 30V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | 6.5V | 5V |
Время падения максимальное (tf) | 100ns | - | 150ns |
Высота | 5.1mm | - | - |
Длина | 16.05mm | - | - |
Ширина | 14mm | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Мощность - Макс | - | 521W | - |
Тип ИGBT | - | NPT | NPT |
Основной номер части | - | - | IXG*16N170 |