IRGIB10B60KD1P Альтернативные части: SGS10N60RUFDTU ,STGF19NC60KD

IRGIB10B60KD1PInfineon Technologies

  • IRGIB10B60KD1PInfineon Technologies
  • SGS10N60RUFDTUON Semiconductor
  • STGF19NC60KDSTMicroelectronics

В наличии: 5

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 16A 44W TO220FP
IGBT 600V 16A 55W TO220F
IGBT 600V 16A 32W TO220FP
Срок поставки от производителя
16 Weeks
11 Weeks
8 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
Количество контактов
3
3
3
Вес
2.299997g
2.27g
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
1
1
Условия испытания
400V, 10A, 50 Ω, 15V
300V, 10A, 20 Ω, 15V
480V, 12A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2004
2013
-
Состояние изделия
Last Time Buy
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
600V
-
Максимальная потеря мощности
44W
55W
32W
Моментальный ток
16A
10A
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Сокетная связка
ISOLATED
ISOLATED
ISOLATED
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Применение транзистора
MOTOR CONTROL
MOTOR CONTROL
POWER CONTROL
Время подъема
24ns
-
-
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2.1V
600V
600V
Максимальный ток сбора
16A
16A
16A
Время обратной рекомпенсации
79 ns
60ns
31 ns
Код JEDEC-95
TO-220AB
-
TO-220AB
Время включения
46 ns
49 ns
38 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 10A
2.8V @ 15V, 10A
2.75V @ 15V, 12A
Время выключения (toff)
288 ns
284 ns
270 ns
Тип ИGBT
NPT
-
-
Зарядная мощность
41nC
30nC
55nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
32A
30A
75A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
25ns/180ns
15ns/36ns
30ns/105ns
Переключаемый энергопотребление
156μJ (on), 165μJ (off)
141μJ (on), 215μJ (off)
165μJ (on), 255μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
5.5V
8V
6.5V
Время падения максимальное (tf)
87ns
220ns
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
-
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Основной номер части
-
SG*10N60
STGF19
Распад мощности
-
55W
32W
Серия
-
-
PowerMESH™
Число контактов
-
-
3