IRG8P25N120KD-EPBF Альтернативные части: FGH25T120SMD-F155

IRG8P25N120KD-EPBFInfineon Technologies

  • IRG8P25N120KD-EPBFInfineon Technologies
  • FGH25T120SMD-F155ON Semiconductor

В наличии: 10551

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD
IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
Вес
6.500007g
6.39g
Диэлектрический пробой напряжение
1.2kV
1.2kV
Максимальный коллекторный ток (Ic)
40A
-
Условия испытания
600V, 15A, 10 Ω, 15V
600V, 25A, 23 Ω, 15V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Опубликовано
2014
2014
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
-
Максимальная потеря мощности
180W
428W
Код соответствия REACH
unknown
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Входной тип
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2V
1.2kV
Максимальный ток сбора
25A
50A
Время обратной рекомпенсации
70 ns
60ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
1200V
1200V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
2.4V @ 15V, 25A
Зарядная мощность
135nC
225nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
45A
100A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
20ns/170ns
40ns/490ns
Переключаемый энергопотребление
800μJ (on), 900μJ (off)
1.74mJ (on), 560μJ (off)
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя
-
5 Weeks
Количество контактов
-
3
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
1
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Конечная обработка контакта
-
TIN
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Распад мощности
-
428W
Сокетная связка
-
COLLECTOR
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
Код JEDEC-95
-
TO-247AB
Время включения
-
88 ns
Время выключения (toff)
-
584 ns
Тип ИGBT
-
Trench Field Stop
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
25V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
7.5V
Корпусировка на излучение
-
No