Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRG6B330UDPBF Альтернативные части: FGPF50N33BTTU
IRG6B330UDPBFInfineon Technologies
В наличии: 42
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
165.793049 ₽
165.80 ₽
10
156.408571 ₽
1,564.15 ₽
100
147.555247 ₽
14,755.49 ₽
500
139.203036 ₽
69,601.51 ₽
1000
131.323640 ₽
131,323.63 ₽
Цена за единицу: 165.793049 ₽
Итоговая цена: 165.80 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 330V 70A 160W TO220 | |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | [object Object] |
Монтаж | Through Hole | - |
Вид крепления | Through Hole | - |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | - |
Количество контактов | 3 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 330V | - |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 196V, 25A, 10 Ω | - |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tube | - |
Опубликовано | 2010 | - |
Состояние изделия | Last Time Buy | - |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | - |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 160W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | - |
Входной тип | Standard | - |
Мощность - Макс | 160W | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.76V | - |
Максимальный ток сбора | 70A | - |
Время обратной рекомпенсации | 60 ns | - |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | TO-220AB |
Время включения | 83 ns | 46 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.76V @ 15V, 120A | - |
Время выключения (toff) | 411 ns | 365 ns |
Тип ИGBT | Trench | - |
Зарядная мощность | 85nC | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 47ns/176ns | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Поверхностный монтаж | - | NO |
Количество терминалов | - | 3 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Положение терминала | - | SINGLE |
Форма вывода | - | THROUGH-HOLE |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 |
Operating Temperature (Max) | - | 150°C |
Number of Elements | - | 1 |
Конфигурация | - | SINGLE |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Максимальный ток коллектора (IC) | - | 50A |
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия | - | 330V |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGPF50N33BTTU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | - | Для сравнения |
 | IRG6I320UPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 330V 24A 39W TO220ABFP | Для сравнения |
 | FGPF4533 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 330V 28.4W TO220-3FP | Для сравнения |
| FGPF4633TU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | IGBT 330V 30.5W TO220F | Для сравнения |