Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /IRG4RC10UDPBF Против SGR6N60UFTM /

IRG4RC10UDPBF Альтернативные части: SGR6N60UFTM ,FGD3N60UNDF

IRG4RC10UDPBFInfineon Technologies

В наличии: 9900

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иIRG4RC10UDPBF	иSGR6N60UFTM	иFGD3N60UNDF
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	IGBT 600V 6A 30W DPAK	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
Срок поставки от производителя	17 Weeks	-	7 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Вес	350.003213mg	260.37mg	260.37mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	-	1
Условия испытания	480V, 5A, 100 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V	400V, 3A, 10 Ω, 15V
Время отключения	87 ns	-	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	1999	-	2013
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	-	2
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	-	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	-
Максимальная потеря мощности	38W	30W	60W
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Моментальный ток	8.5A	3A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Основной номер части	IRG4RC10UDPBF	SG*6N60	FGD3N60
Код JESD-30	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	38W	30W	60W
Сокетная связка	COLLECTOR	-	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	40 ns	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	MOTOR CONTROL
Время подъема	16ns	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.6V	600V	600V
Максимальный ток сбора	8.5A	6A	6A
Время обратной рекомпенсации	28 ns	-	21ns
Код JEDEC-95	TO-252AA	-	-
Максимальное напряжение разрушения	600V	-	600V
Время включения	56 ns	-	7.4 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 5A	2.6V @ 15V, 3A	2.52V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)	345 ns	-	146 ns
Зарядная мощность	15nC	15nC	1.6nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	34A	25A	9A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	40ns/87ns	15ns/60ns	5.5ns/22ns
Переключаемый энергопотребление	140μJ (on), 120μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)	52μJ (on), 30μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Время падения максимальное (tf)	210ns	-	-
Высота	1.2446mm	-	2.3mm
Длина	6.7056mm	-	6.6mm
Ширина	6.22mm	-	6.1mm
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Безоловая кодировка	-	-	yes
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Тип ИGBT	-	-	NPT
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	8.5V

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
IRG4RC10KDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 9A 38W DPAK	Для сравнения
IRG4RC10KDTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 9A 38W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения