IRG4PC50KPBF Альтернативные части: FGH30N6S2 ,IRG4PC50WPBF

IRG4PC50KPBFInfineon Technologies

  • IRG4PC50KPBFInfineon Technologies
  • FGH30N6S2ON Semiconductor
  • IRG4PC50WPBFInfineon Technologies

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
IGBT 600V 45A 167W TO247
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
Срок поставки от производителя
14 Weeks
-
14 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
-
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
-
1
Условия испытания
480V, 30A, 5 Ω, 15V
390V, 12A, 10Ohm, 15V
480V, 27A, 5 Ω, 15V
Время отключения
160 ns
-
120 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Tube
Bulk
Опубликовано
2000
2001
2000
Код JESD-609
e3
-
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
-
-
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
-
LOW CONDUCTION LOSS
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
600V
600V
Максимальная потеря мощности
200W
167W
200W
Температура пайки (пиковая) (°C)
250
-
-
Моментальный ток
52A
45A
55A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Dual
Распад мощности
200W
167W
200W
Сокетная связка
COLLECTOR
-
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Время задержки включения
38 ns
-
46 ns
Применение транзистора
POWER CONTROL
-
POWER CONTROL
Время подъема
34ns
10ns
33ns
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
-
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2.2V
600V
2.3V
Максимальный ток сбора
52A
45A
55A
Код JEDEC-95
TO-247AC
-
TO-247AC
Время включения
72 ns
-
74 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
2.5V @ 15V, 12A
2.3V @ 15V, 27A
Время выключения (toff)
430 ns
-
272 ns
Зарядная мощность
200nC
23nC
180nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
104A
108A
220A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
38ns/160ns
6ns/40ns
46ns/120ns
Переключаемый энергопотребление
490μJ (on), 680μJ (off)
55μJ (on), 100μJ (off)
80μJ (on), 320μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
-
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6V
-
6V
Время падения максимальное (tf)
120ns
-
86ns
Высота
20.3mm
-
20.2946mm
Длина
15.875mm
-
15.875mm
Ширина
5.3mm
-
5.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
TO-247-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
45A
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Мощность - Макс
-
167W
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
600V
-
Вес
-
-
38.000013g
Завершение
-
-
Through Hole
Положение терминала
-
-
SINGLE