IRG4BC40SPBF Альтернативные части: HGTP12N60A4D

IRG4BC40SPBFInfineon Technologies

  • IRG4BC40SPBFInfineon Technologies
  • HGTP12N60A4DON Semiconductor

В наличии: 22500

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
In a Pack of 5, Infineon IRG4BC40SPBF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-220AB
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Срок поставки от производителя
16 Weeks
5 Weeks
Монтаж
Surface Mount, Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
Количество элементов
1
1
Условия испытания
480V, 31A, 10 Ω, 15V
390V, 12A, 10 Ω, 15V
Время отключения
650 ns
96 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Опубликовано
2000
2002
Состояние изделия
Last Time Buy
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
160W
167W
Положение терминала
SINGLE
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
Распад мощности
160W
167W
Сокетная связка
COLLECTOR
COLLECTOR
Входной тип
Standard
Standard
Время задержки включения
22 ns
17 ns
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
1.5V
600V
Максимальный ток сбора
60A
54A
Код JEDEC-95
TO-220AB
-
Время включения
44 ns
33 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.5V @ 15V, 31A
2.7V @ 15V, 12A
Время выключения (toff)
1940 ns
180 ns
Зарядная мощность
100nC
78nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
120A
96A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
22ns/650ns
17ns/96ns
Переключаемый энергопотребление
450μJ (on), 6.5mJ (off)
55μJ (on), 50μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6V
-
Время падения максимальное (tf)
570ns
-
Высота
16.51mm
9.4mm
Длина
10.668mm
10.67mm
Ширина
4.826mm
4.83mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Вес
-
1.8g
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
Моментальный ток
-
54A
Основной номер части
-
HGTP12N60
Время подъема
-
8ns
Время обратной рекомпенсации
-
18 ns
Прямоходящий ток коллектора
-
54A