IRG4BC40KPBF Альтернативные части: IRG4BC40WPBF ,IRG4BC40UPBF

IRG4BC40KPBFInfineon Technologies

В наличии: 15

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
159.613324 ₽
159.62 ₽
10
150.578613 ₽
1,505.77 ₽
100
142.055288 ₽
14,205.49 ₽
500
134.014423 ₽
67,007.14 ₽
1000
126.428709 ₽
126,428.71 ₽

Цена за единицу: 159.613324 ₽

Итоговая цена: 159.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRG4BC40KPBF	иIRG4BC40WPBF	иIRG4BC40UPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 42A 160W TO220AB	IGBT 600V 40A 160W TO220AB	IGBT 600V 40A 160W TO220AB
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	480V, 25A, 10 Ω, 15V	480V, 20A, 10 Ω, 15V	480V, 20A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2000	2000	2000
Состояние изделия	Last Time Buy	Last Time Buy	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Завершение	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	ULTRA FAST	LOW CONDUCTION LOSS	ULTRA FAST SWITCHING
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	160W	160W	160W
Моментальный ток	42A	40A	40A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	160W	160W	160W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	18ns	22ns	19ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.6V	2.5V	2.1V
Максимальный ток сбора	42A	40A	40A
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	48 ns	49 ns	49 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 25A	2.5V @ 15V, 20A	2.1V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)	340 ns	174 ns	380 ns
Зарядная мощность	120nC	98nC	100nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	84A	160A	160A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	30ns/140ns	27ns/100ns	34ns/110ns
Переключаемый энергопотребление	620μJ (on), 330μJ (off)	110μJ (on), 230μJ (off)	320μJ (on), 350μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6V	6V	6V
Время падения максимальное (tf)	210ns	110ns	180ns
Высота	8.77mm	8.77mm	16.51mm
Длина	10.54mm	10.54mm	10.668mm
Ширина	4.69mm	4.69mm	4.826mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Время отключения	-	100 ns	110 ns
Время задержки включения	-	27 ns	34 ns
Входной ёмкости	-	1.9nF	-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4BC40WPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 40A 160W TO220AB	Для сравнения
IRG4BC40UPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 40A 160W TO220AB	Для сравнения
HGTP12N60A4D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 54A 167W TO220AB	Для сравнения
IRG4BC40FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 49A 160W TO220AB	Для сравнения