Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /IRFH3702TRPBF Против IRFH8334TRPBF /

IRFH3702TRPBF Альтернативные части: IRFH8334TRPBF ,IRFHS8342TR2PBF

IRFH3702TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 25

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иIRFH3702TRPBF	иIRFH8334TRPBF	иIRFHS8342TR2PBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerVDFN	8-PowerTDFN	6-PowerVDFN
Количество контактов	8	8	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	16A Ta 42A Tc	14A Ta 44A Tc	8.8A Ta 19A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.8W Ta	3.2W Ta 30W Tc	-
Время отключения	11 ns	7 ns	5.2 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2009	2007	2010
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	5	-
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Код JESD-30	S-PDSO-N3	R-PDSO-F5	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.8W	3.2W	2.1W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	-
Время задержки включения	9.6 ns	8.3 ns	5.9 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.1m Ω @ 16A, 10V	9m Ω @ 20A, 10V	16mOhm @ 8.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25μA	2.35V @ 25μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1510pF @ 15V	1180pF @ 10V	600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	14nC @ 4.5V	15nC @ 10V	8.7nC @ 10V
Время подъема	15ns	14ns	15ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	-
Время падения (тип)	5.8 ns	4.6 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	16A	14A	8.8A
Пороговое напряжение	1.8V	-	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.0071Ohm	0.009Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	120A	-	-
Двухпитание напряжения	30V	-	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	77 mJ	35 mJ	-
Номинальное Vgs	1.8 V	1.8 V	1.8 V
Высота	939.8μm	-	950μm
Длина	2.9972mm	-	2.1mm
Ширина	2.9972mm	-	2.1mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Код JESD-609	-	e3	-
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Форма вывода	-	FLAT	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	-
Поставщик упаковки устройства	-	-	PG-TSDSON-6
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Максимальная потеря мощности	-	-	2.1W
Конфигурация элемента	-	-	Single
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	30V
Входной ёмкости	-	-	600pF
Время восстановления	-	-	17 ns
Сопротивление стока к истоку	-	-	16mOhm
Rds на макс.	-	-	16 mΩ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRFH8334TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFHS8342TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN	Для сравнения
IRFHM9331TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN	Для сравнения
IRFH8330TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN	Для сравнения