Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8915TRPBF Альтернативные части: FDS6898AZ ,FDS6898A
IRF8915TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
36.945192 ₽
36.95 ₽
10
34.853956 ₽
348.49 ₽
100
32.881085 ₽
3,288.05 ₽
500
31.019890 ₽
15,509.89 ₽
1000
29.264052 ₽
29,264.01 ₽
Цена за единицу: 36.945192 ₽
Итоговая цена: 36.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 7.1 ns | 34 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2008 | - | 2017 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 18.3MOhm | 14MOhm | 14MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V | 20V |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W | 2W |
Моментальный ток | 8.9A | 9.4A | 9.4A |
Основной номер части | IRF8915PBF | - | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 6 ns | 10 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18.3m Ω @ 8.9A, 10V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 540pF @ 10V | 1821pF @ 10V | 1821pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V |
Время подъема | 12ns | 15ns | 15ns |
Время падения (тип) | 3.6 ns | 16 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.9A | 9.4A | 9.4A |
Пороговое напряжение | 2.5V | 1V | 500mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.4986mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 4.9784mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 3.9878mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Вес | - | 187mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Дополнительная Характеристика | - | ESD PROTECTED | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Мощность - Макс | - | 900mW | 900mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Двухпитание напряжения | - | 20V | 20V |
Номинальное Vgs | - | 1 V | 1 V |
Каналов количество | - | - | 2 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6898AZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |