IRF8915TRPBF Альтернативные части: FDS6898A ,IRF8910TRPBF

IRF8915TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
36.945192 ₽
36.95 ₽
10
34.853956 ₽
348.49 ₽
100
32.881085 ₽
3,288.05 ₽
500
31.019890 ₽
15,509.89 ₽
1000
29.264052 ₽
29,264.01 ₽

Цена за единицу: 36.945192 ₽

Итоговая цена: 36.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8915TRPBF	иFDS6898A	иIRF8910TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	10 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Количество элементов	2	2	2
Время отключения	7.1 ns	34 ns	9.7 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2008	2017	2008
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	18.3MOhm	14MOhm	13.4MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	20V	20V	20V
Максимальная потеря мощности	2W	2W	2W
Моментальный ток	8.9A	9.4A	10A
Основной номер части	IRF8915PBF	-	IRF8910PBF
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	2W	2W	2W
Время задержки включения	6 ns	10 ns	6.2 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18.3m Ω @ 8.9A, 10V	14m Ω @ 9.4A, 4.5V	13.4m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	1.5V @ 250μA	2.55V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	540pF @ 10V	1821pF @ 10V	960pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V	23nC @ 4.5V	11nC @ 4.5V
Время подъема	12ns	15ns	10ns
Время падения (тип)	3.6 ns	16 ns	4.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8.9A	9.4A	10A
Пороговое напряжение	2.5V	500mV	2.55V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	12V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V	20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.4986mm	1.75mm	1.5mm
Длина	4.9784mm	5mm	5mm
Ширина	3.9878mm	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Покрытие контактов	-	Tin	-
Вес	-	187mg	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Код JESD-609	-	e3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Количество выводов	-	8	-
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT
Форма вывода	-	GULL WING	-
Каналов количество	-	2	-
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Мощность - Макс	-	900mW	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	-
Двухпитание напряжения	-	20V	20V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Номинальное Vgs	-	1 V	2.55 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8910TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6898AZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения