Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8736TRPBF Альтернативные части: IRF7832TRPBF
IRF8736TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 1099
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.990385 ₽
20.05 ₽
10
18.858860 ₽
188.60 ₽
100
17.791374 ₽
1,779.12 ₽
500
16.784313 ₽
8,392.17 ₽
1000
15.834258 ₽
15,834.20 ₽
Цена за единицу: 19.990385 ₽
Итоговая цена: 20.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 18A Ta | 20A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 13 ns | 21 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~155°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2005 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 4.8MOhm | 4MOhm |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 12 ns | 12 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.8m Ω @ 18A, 10V | 4m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 2.32V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2315pF @ 15V | 4310pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | 51nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 6.7ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 7.5 ns | 13 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 18A | 20A |
Пороговое напряжение | 1.8V | 2.32V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 2.32 V |
Высота | 1.4986mm | 1.75mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V |
Моментальный ток | - | 20A |
Интервал строк | - | 6.3 mm |
Каналов количество | - | 1 |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 260 mJ |
Время восстановления | - | 62 ns |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 155°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6670A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | Для сравнения |
 | IRF8736PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | Для сравнения |
| IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6676AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | Для сравнения |