IRF8734TRPBF Альтернативные части: IRF8788TRPBF ,IRF7834TRPBF

IRF8734TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 7888

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.348489 ₽
31.32 ₽
10
29.574052 ₽
295.74 ₽
100
27.900041 ₽
2,789.97 ₽
500
26.320797 ₽
13,160.44 ₽
1000
24.830934 ₽
24,830.91 ₽

Цена за единицу: 31.348489 ₽

Итоговая цена: 31.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8734TRPBF	иIRF8788TRPBF	иIRF7834TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	21A Ta	24A Ta	19A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	15 ns	23 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2009	2008	2004
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	3.5MOhm	2.8MOhm	4.5MOhm
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	GULL WING	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	23 ns	13.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.5m Ω @ 21A, 10V	2.8m Ω @ 24A, 10V	4.5m Ω @ 19A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2.35V @ 100μA	2.25V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3175pF @ 15V	5720pF @ 15V	3710pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	30nC @ 4.5V	66nC @ 4.5V	44nC @ 4.5V
Время подъема	16ns	24ns	14.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	11 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	21A	24A	19A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Номинальное Vgs	-	1.8 V	-
Длина	-	4.9784mm	4.9784mm
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	30V
Моментальный ток	-	-	19A

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7834TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения