IRF8734TRPBF Альтернативные части: IRF7862TRPBF ,IRF8113GPBF

IRF8734TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 7888

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.348489 ₽
31.32 ₽
10
29.574052 ₽
295.74 ₽
100
27.900041 ₽
2,789.97 ₽
500
26.320797 ₽
13,160.44 ₽
1000
24.830934 ₽
24,830.91 ₽

Цена за единицу: 31.348489 ₽

Итоговая цена: 31.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8734TRPBF	иIRF7862TRPBF	иIRF8113GPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	21A Ta	21A Ta	17.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	15 ns	18 ns	17 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2009	2007	2009
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Сопротивление	3.5MOhm	3.3MOhm	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	16 ns	13 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.5m Ω @ 21A, 10V	3.7m Ω @ 20A, 10V	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2.35V @ 100μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3175pF @ 15V	4090pF @ 15V	2910pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	30nC @ 4.5V	45nC @ 4.5V	36nC @ 4.5V
Время подъема	16ns	19ns	8.9ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	11 ns	3.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	21A	21A	17.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	350 mJ	-
Номинальное Vgs	-	2.35 V	2.2 V
Длина	-	4.9784mm	4.9784mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Поставщик упаковки устройства	-	-	8-SO
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	30V
Входной ёмкости	-	-	2.91nF
Сопротивление стока к истоку	-	-	7.4mOhm
Rds на макс.	-	-	5.6 mΩ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7834TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения