IRF8721TRPBF Альтернативные части: IRF7805ZTRPBF ,IRF8721GTRPBF

IRF8721TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 500

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
34.938599 ₽
34.89 ₽
10
32.960948 ₽
329.67 ₽
100
31.095234 ₽
3,109.48 ₽
500
29.335124 ₽
14,667.58 ₽
1000
27.674643 ₽
27,674.59 ₽

Цена за единицу: 34.938599 ₽

Итоговая цена: 34.89 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8721TRPBF	иIRF7805ZTRPBF	иIRF8721GTRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	14A Ta	16A Ta	14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	8.1 ns	14 ns	8.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2007	2005	2009
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	8.5MOhm	6.8MOhm	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	8.2 ns	11 ns	8.2 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.5m Ω @ 14A, 10V	6.8m Ω @ 16A, 10V	8.5m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25μA	2.25V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1040pF @ 15V	2080pF @ 15V	1040pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12nC @ 4.5V	27nC @ 4.5V	12nC @ 4.5V
Время подъема	11ns	10ns	11ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	7 ns	3.7 ns	7 ns
Непрерывный ток стока (ID)	14A	16A	14A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Номинальное Vgs	2.35 V	2.25 V	-
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	Unknown
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Покрытие контактов	-	Tin	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	16A	-
Код JEDEC-95	-	MS-012AA	-
Максимальный импульсный ток вывода	-	120A	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	72 mJ	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Для сравнения
IRF9321TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7805ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8721GTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения