Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8721TRPBF Альтернативные части: DMG4406LSS-13 ,IRF9321TRPBF
IRF8721TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 500
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
34.938599 ₽
34.89 ₽
10
32.960948 ₽
329.67 ₽
100
31.095234 ₽
3,109.48 ₽
500
29.335124 ₽
14,667.58 ₽
1000
27.674643 ₽
27,674.59 ₽
Цена за единицу: 34.938599 ₽
Итоговая цена: 34.89 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 14A Ta | 10.3A Ta | 15A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 1.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 8.1 ns | 22.3 ns | 185 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | - | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2011 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 8.5MOhm | - | 7.2MOhm |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W | 2.5W |
Время задержки включения | 8.2 ns | 5.2 ns | 21 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.5m Ω @ 14A, 10V | 11m Ω @ 12A, 10V | 7.2m Ω @ 15A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25μA | 2V @ 250μA | 2.4V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1040pF @ 15V | 1281pF @ 15V | 2590pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 26.7nC @ 10V | 98nC @ 10V |
Время подъема | 11ns | 21.2ns | 79ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 7 ns | 5.1 ns | 145 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 14A | 10.3A | -15A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | -30V |
Номинальное Vgs | 2.35 V | - | -1.8 V |
Высота | 1.4986mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 4.9784mm | 4.95mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.95mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 73.992255mg | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9.3A | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 90A | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Пороговое напряжение | - | - | -1.8V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | Для сравнения |
 | IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721GTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |