IRF8714TRPBF Альтернативные части: IRF8714GTRPBF ,IRF8714PBF

IRF8714TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
60.401786 ₽
60.44 ₽
10
56.982816 ₽
569.78 ₽
100
53.757376 ₽
5,375.69 ₽
500
50.714505 ₽
25,357.28 ₽
1000
47.843874 ₽
47,843.82 ₽

Цена за единицу: 60.401786 ₽

Итоговая цена: 60.44 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8714TRPBF	иIRF8714GTRPBF	иIRF8714PBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	14A Ta	14A Ta	14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	-	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	11 ns	11 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2004	2009	2007
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Obsolete	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	8.7MOhm	-	8.7MOhm
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	30
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	10 ns	10 ns	10 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.7m Ω @ 14A, 10V	8.7m Ω @ 14A, 10V	8.7m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25μA	2.35V @ 25μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1020pF @ 15V	1020pF @ 15V	1020pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12nC @ 4.5V	12nC @ 4.5V	12nC @ 4.5V
Время подъема	9.9ns	9.9ns	9.9ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	5 ns	5 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	14A	14A	14A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	65 mJ	-	65 mJ
Номинальное Vgs	1.8 V	-	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Конфигурация	-	Single	-
Завершение	-	-	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Пороговое напряжение	-	-	1.8V
Двухпитание напряжения	-	-	30V
Время восстановления	-	-	21 ns

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Для сравнения
IRF8714GTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8714PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8	Для сравнения
IRF8721TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения