Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8707TRPBF Альтернативные части: IRF8714PBF
IRF8707TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 40
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
84.381181 ₽
84.34 ₽
10
79.604890 ₽
796.02 ₽
100
75.098956 ₽
7,509.89 ₽
500
70.848063 ₽
35,424.04 ₽
1000
66.837802 ₽
66,837.77 ₽
Цена за единицу: 84.381181 ₽
Итоговая цена: 84.34 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 14A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 7.3 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 11.9MOhm | 8.7MOhm |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Каналов количество | 1 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 6.7 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11.9m Ω @ 11A, 10V | 8.7m Ω @ 14A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 760pF @ 15V | 1020pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V | 12nC @ 4.5V |
Время подъема | 7.9ns | 9.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 4.4 ns | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 14A |
Пороговое напряжение | 1.8V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 53 mJ | 65 mJ |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 1.8 V |
Высота | 1.75mm | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Код JESD-609 | - | e3 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Время восстановления | - | 21 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8714PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET MOSFET N-CHAN | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |