Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8707GTRPBF Альтернативные части: FDS6680A ,IRF8313TRPBF
IRF8707GTRPBFInfineon Technologies
В наличии: 1
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
47.972527 ₽
47.94 ₽
10
45.257088 ₽
452.61 ₽
100
42.695357 ₽
4,269.51 ₽
500
40.278695 ₽
20,139.29 ₽
1000
37.998750 ₽
37,998.76 ₽
Цена за единицу: 47.972527 ₽
Итоговая цена: 47.94 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 18 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 12.5A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | - |
Время отключения | 7.3 ns | 27 ns | 8.5 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2005 | 2004 | 2008 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 6.7 ns | 10 ns | 8.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11.9m Ω @ 11A, 10V | 9.5m Ω @ 12.5A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25μA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 760pF @ 15V | 1620pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V | 23nC @ 5V | 9nC @ 4.5V |
Время подъема | 7.9ns | 5ns | 9.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 4.4 ns | 15 ns | 4.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 12.5A | 9.7A |
Пороговое напряжение | 1.8V | 2V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 2 V | 1.8 V |
Высота | 1.4986mm | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Вес | - | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 2 |
Код JESD-609 | - | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 9.5MOhm | 15.5MOhm |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | 12.5A | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Время восстановления | - | 28 ns | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2W |
Основной номер части | - | - | IRF8313PBF |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 46 mJ |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8707PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | In a Pack of 10, IRF8707PBF N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon | Для сравнения |
 | FDS6680A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | Для сравнения |