IRF8513PBF Альтернативные части: IRF8313PBF

IRF8513PBFInfineon Technologies

  • IRF8513PBFInfineon Technologies
  • IRF8313PBFInfineon Technologies

В наличии: 4610

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Монтаж
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
-
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
8A 11A
9.7A
Количество элементов
2
2
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Опубликовано
2008
2004
Состояние изделия
Obsolete
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
Сопротивление
15.5MOhm
-
Максимальная рабочая температура
175°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Максимальная потеря мощности
2.4W
-
Основной номер части
IRF8513PBF
IRF8313PBF
Конфигурация элемента
Dual
-
Распад мощности
2.4W
-
Мощность - Макс
1.5W 2.4W
2W
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 25μA
2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
766pF @ 15V
760pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
90nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Непрерывный ток стока (ID)
8A
-
Пороговое напряжение
1.8V
-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
-
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
-
Двухпитание напряжения
30V
-
Входной ёмкости
766pF
-
Время восстановления
23 ns
-
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку
22.2mOhm
-
Rds на макс.
15.5 mΩ
-
Номинальное Vgs
1.8 V
-
Высота
1.4986mm
-
Длина
4.9784mm
-
Ширина
3.9878mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Срок поставки от производителя
-
6 Weeks
Поверхностный монтаж
-
YES
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Код JESD-30
-
R-PDSO-G8
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Конфигурация
-
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Код JEDEC-95
-
MS-012AA
Максимальный сливовой ток (ID)
-
9.7A
Сопротивление открытого канала-макс
-
0.0155Ohm
Максимальный импульсный ток вывода
-
81A
Минимальная напряжённость разрушения
-
30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
46 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
2W