IRF8113TRPBF Альтернативные части: IRF8736TRPBF ,IRF8736PBF

IRF8113TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 528

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽

Цена за единицу: 32.576923 ₽

Итоговая цена: 32.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8113TRPBF	иIRF8736TRPBF	иIRF8736PBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	17.2A Ta	18A Ta	18A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	17 ns	13 ns	13 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2007	2007
Состояние изделия	Active	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Завершение	SMD/SMT	-	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	5.6MOhm	4.8MOhm	4.8MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Моментальный ток	16.6A	-	-
Конфигурация	Single	-	-
Интервал строк	6.3 mm	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	12 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.6m Ω @ 17.2A, 10V	4.8m Ω @ 18A, 10V	4.8m Ω @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250μA	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2910pF @ 15V	2315pF @ 15V	2315pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	36nC @ 4.5V	26nC @ 4.5V	26nC @ 4.5V
Время подъема	8.9ns	15ns	15ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	3.5 ns	7.5 ns	7.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	17.2A	18A	18A
Пороговое напряжение	2.2V	1.8V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-	30V
Номинальное Vgs	2.2 V	1.8 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead, Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество выводов	-	8	8
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Конфигурация элемента	-	Single	Single
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Код JESD-609	-	-	e3
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	30
Время восстановления	-	-	24 ns

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8813NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8736PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC	Для сравнения