Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF8113TRPBF Альтернативные части: IRF8736PBF ,FDS8813NZ
IRF8113TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 528
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽
Цена за единицу: 32.576923 ₽
Итоговая цена: 32.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 17.2A Ta | 18A Ta | 18.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 17 ns | 13 ns | 39 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2005 | 2007 | 2013 |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 5.6MOhm | 4.8MOhm | 4.5MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | - |
Моментальный ток | 16.6A | - | - |
Конфигурация | Single | - | - |
Интервал строк | 6.3 mm | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 13 ns | 12 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.6m Ω @ 17.2A, 10V | 4.8m Ω @ 18A, 10V | 4.5m Ω @ 18.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.2V @ 250μA | 2.35V @ 50μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2910pF @ 15V | 2315pF @ 15V | 4145pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 36nC @ 4.5V | 26nC @ 4.5V | 76nC @ 10V |
Время подъема | 8.9ns | 15ns | 8ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 3.5 ns | 7.5 ns | 7 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 17.2A | 18A | 18.5A |
Пороговое напряжение | 2.2V | 1.8V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 2.2 V | 1.8 V | 1.8 V |
Высота | 1.4986mm | 1.4986mm | 1.575mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm | 4.9mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead, Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | TIN |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | 30 |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время восстановления | - | 24 ns | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Вес | - | - | 130mg |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 520 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8813NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8736PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC | Для сравнения |