IRF8113TRPBF Альтернативные части: FDS8813NZ ,IRF8736TRPBF

IRF8113TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 528

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽

Цена за единицу: 32.576923 ₽

Итоговая цена: 32.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF8113TRPBF	иFDS8813NZ	иIRF8736TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	18 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	17.2A Ta	18.5A Ta	18A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	17 ns	39 ns	13 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2013	2007
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	5.6MOhm	4.5MOhm	4.8MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Моментальный ток	16.6A	-	-
Конфигурация	Single	-	-
Интервал строк	6.3 mm	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	13 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.6m Ω @ 17.2A, 10V	4.5m Ω @ 18.5A, 10V	4.8m Ω @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250μA	3V @ 250μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2910pF @ 15V	4145pF @ 15V	2315pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	36nC @ 4.5V	76nC @ 10V	26nC @ 4.5V
Время подъема	8.9ns	8ns	15ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	3.5 ns	7 ns	7.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	17.2A	18.5A	18A
Пороговое напряжение	2.2V	1.8V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V	-
Номинальное Vgs	2.2 V	1.8 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.575mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead, Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Покрытие контактов	-	Tin	Tin
Вес	-	130mg	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Код JESD-609	-	e3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Количество выводов	-	8	8
Конечная обработка контакта	-	TIN	-
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	-
Конфигурация элемента	-	Single	Single
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	520 pF	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8813NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8736PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	IRF8736PBF N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 30 V, 8-Pin SOIC	Для сравнения