IRF7805ATRPBF Альтернативные части: IRF7463TRPBF

IRF7805ATRPBFInfineon Technologies

  • IRF7805ATRPBFInfineon Technologies
  • IRF7463TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 350

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.597582 ₽

    12.64 ₽

  • 10

    11.884519 ₽

    118.82 ₽

  • 100

    11.211854 ₽

    1,121.15 ₽

  • 500

    10.577170 ₽

    5,288.60 ₽

  • 1000

    9.978475 ₽

    9,978.43 ₽

Цена за единицу: 12.597582 ₽

Итоговая цена: 12.64 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
13A Ta
14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V
2.7V 10V
Количество элементов
1
1
Максимальная мощность рассеяния
2.5W Ta
2.5W Ta
Время отключения
38 ns
28 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
HEXFET®
Опубликовано
2004
2004
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
30V
Моментальный ток
13A
14A
Распад мощности
2.5W
2.5W
Время задержки включения
16 ns
16 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
8m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
2V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
31nC @ 5V
51nC @ 4.5V
Время подъема
20ns
16ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
Угол настройки (макс.)
±12V
±12V
Время падения (тип)
16 ns
6.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)
13A
14A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
12V
12V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
Сопротивление стока к истоку
11mOhm
-
Rds на макс.
11 mΩ
-
Высота
1.4986mm
1.4986mm
Длина
4.9784mm
4.9784mm
Ширина
3.9878mm
3.9878mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Срок поставки от производителя
-
12 Weeks
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Количество выводов
-
8
Сопротивление
-
8MOhm
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Конфигурация элемента
-
Single
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
3150pF @ 15V
Пороговое напряжение
-
2V
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
320 mJ
Номинальное Vgs
-
2 V
REACH SVHC
-
No SVHC