Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7403TRPBF Альтернативные части: SI4410DYTRPBF
IRF7403TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 13991
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
30.725962 ₽
30.77 ₽
10
28.986758 ₽
289.84 ₽
100
27.346003 ₽
2,734.62 ₽
500
25.798104 ₽
12,899.04 ₽
1000
24.337843 ₽
24,337.91 ₽
Цена за единицу: 30.725962 ₽
Итоговая цена: 30.77 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount, Through Hole | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.5A Ta | 10A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 42 ns | 38 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 1997 | 2001 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Сопротивление | 22mOhm | 13.5mOhm |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 8.5A | 10A |
Интервал строк | 6.3 mm | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 10 ns | 11 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 4A, 10V | 13.5m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1200pF @ 25V | 1585pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 57nC @ 10V | 45nC @ 10V |
Время подъема | 37ns | 7.7ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 40 ns | 44 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.5A | 10A |
Пороговое напряжение | 1V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6.7A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | 30V |
Время восстановления | 78 ns | - |
Номинальное Vgs | 1 V | 1 V |
Высота | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Код JESD-609 | - | e3 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Код ECCN | - | EAR99 |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 50A |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 400 mJ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4410DYTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI4830CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky | Для сравнения |
| SI4128DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 10.9A 5.0W | Для сравнения |