Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7317TRPBF Альтернативные части: FDS8928A
IRF7317TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 177
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
53.307692 ₽
53.30 ₽
10
50.290275 ₽
502.88 ₽
100
47.443654 ₽
4,744.37 ₽
500
44.758173 ₽
22,379.12 ₽
1000
42.224684 ₽
42,224.73 ₽
Цена за единицу: 53.307692 ₽
Итоговая цена: 53.30 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.6A 5.3A | 5.5A 4A |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 42 ns | 260 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | - |
Опубликовано | 1997 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 29mOhm | 30MOhm |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 6.6A | 5.5A |
Основной номер части | IRF7317PBF | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 6A, 4.5V | 30m Ω @ 5.5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 700mV @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 900pF @ 15V | 900pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | 28nC @ 4.5V |
Время подъема | 40ns | 23ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Время падения (тип) | 49 ns | 90 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.6A | 5.5A |
Пороговое напряжение | 700mV | 670mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | -20V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 100 mJ | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | 700 mV | 670 mV |
Высота | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 230.4mg |
Безоловая кодировка | - | yes |
Мощность - Макс | - | 900mW |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V 20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7311TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8928A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |