Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7316GTRPBF Альтернативные части: IRF7406TRPBF ,STS4DNFS30
IRF7316GTRPBFInfineon Technologies
В наличии: 2291
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
73.164804 ₽
73.18 ₽
10
69.023380 ₽
690.22 ₽
100
65.116383 ₽
6,511.59 ₽
500
61.430531 ₽
30,715.22 ₽
1000
57.953352 ₽
57,953.35 ₽
Цена за единицу: 73.164804 ₽
Итоговая цена: 73.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 4.9A | 5.8A Ta | 4.5A Tc |
Время отключения | 34 ns | 45 ns | 15 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® | STripFET™ |
Опубликовано | 2009 | 2004 | - |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | - | - |
Основной номер части | IRF7316GPBF | - | STS4D |
Конфигурация элемента | Dual | Single | - |
Распад мощности | 2W | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 13 ns | 16 ns | - |
Мощность - Макс | 2W | - | - |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.9A, 10V | 45m Ω @ 2.8A, 10V | 55m Ω @ 2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 710pF @ 25V | 1100pF @ 25V | 330pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 34nC @ 10V | 59nC @ 10V | 4.7nC @ 5V |
Время подъема | 20ns | 33ns | 17ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Время падения (тип) | 48 ns | 47 ns | 6 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.9A | -5.8A | 4.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | 30V |
Входной ёмкости | 710pF | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Schottky Diode (Isolated) |
Сопротивление стока к истоку | 58mOhm | - | - |
Rds на макс. | 58 mΩ | - | - |
Высота | 1.4986mm | 1.75mm | - |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 12 Weeks | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | 5V 10V |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | 2W Tc |
Код JESD-609 | - | e3 | e4 |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | - | 45mOhm | - |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -30V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Моментальный ток | - | -5.8A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | 30 |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Пороговое напряжение | - | -1V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 23A | 13A |
Двухпитание напряжения | - | -30V | - |
Время восстановления | - | 63 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | -1 V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Конечная обработка контакта | - | - | NICKEL PALLADIUM GOLD |
Число контактов | - | - | 8 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7379TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7406TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Для сравнения |
 | STS4DNFS30 | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7303QTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | Для сравнения |