IRF7316GTRPBF Альтернативные части: IRF7303QTRPBF ,IRF7379TRPBF

IRF7316GTRPBFInfineon Technologies

В наличии: 2291

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
73.164804 ₽
73.18 ₽
10
69.023380 ₽
690.22 ₽
100
65.116383 ₽
6,511.59 ₽
500
61.430531 ₽
30,715.22 ₽
1000
57.953352 ₽
57,953.35 ₽

Цена за единицу: 73.164804 ₽

Итоговая цена: 73.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7316GTRPBF	иIRF7303QTRPBF	иIRF7379TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Поставщик упаковки устройства	8-SO	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	4.9A	-	5.8A 4.3A
Время отключения	34 ns	22 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2009	2010	2004
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-
Максимальная потеря мощности	2W	2W	2.5W
Основной номер части	IRF7316GPBF	IRF7303QPBF	IRF7379PBF
Конфигурация элемента	Dual	-	-
Распад мощности	2W	2W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	6.8 ns	-
Мощность - Макс	2W	-	-
Тип ТРВ	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.9A, 10V	50m Ω @ 2.4A, 10V	45m Ω @ 5.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	710pF @ 25V	520pF @ 25V	520pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	34nC @ 10V	25nC @ 10V	25nC @ 10V
Время подъема	20ns	21ns	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V	-
Время падения (тип)	48 ns	7.7 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	4.9A	4.9A	5.8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	-	30V
Входной ёмкости	710pF	-	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Standard	Standard
Сопротивление стока к истоку	58mOhm	-	-
Rds на макс.	58 mΩ	-	-
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Количество элементов	-	2	2
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Срок поставки от производителя	-	-	12 Weeks
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Код JESD-609	-	-	e3
Количество выводов	-	-	8
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	-	-	DUAL
Форма вывода	-	-	GULL WING
Моментальный ток	-	-	5.8A
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	0.045Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	-	46A
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7379TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	Для сравнения
IRF7406TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC	Для сравнения
STS4DNFS30	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7303QTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC	Для сравнения