Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7241TRPBF Альтернативные части: FDS8449-F085 ,SI4447ADY-T1-GE3
IRF7241TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 92
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.230769 ₽
59.20 ₽
10
55.878091 ₽
558.79 ₽
100
52.715179 ₽
5,271.57 ₽
500
49.731291 ₽
24,865.66 ₽
1000
46.916319 ₽
46,916.35 ₽
Цена за единицу: 59.230769 ₽
Итоговая цена: 59.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 6 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.2A Ta | 7.6A Ta | 7.2A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 4.2W Tc |
Время отключения | 210 ns | 23 ns | 30 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2004 | - | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e4 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Сопротивление | 41MOhm | - | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -40V | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Моментальный ток | -6.2A | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 24 ns | 9 ns | 7 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 41m Ω @ 6.2A, 10V | 29m Ω @ 7.6A, 10V | 45mOhm @ 5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 3220pF @ 25V | 760pF @ 20V | 970pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 80nC @ 10V | 11nC @ 10V | 38nC @ 10V |
Время подъема | 280ns | 5ns | 12ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | 40V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 100 ns | 3 ns | 9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -6.2A | 7.6A | 7.2A |
Пороговое напряжение | -3V | - | -1.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -40V | 40V | -40V |
Двухпитание напряжения | -40V | - | - |
Время восстановления | 48 ns | - | - |
Номинальное Vgs | -3 V | - | - |
Высота | 1.4986mm | - | - |
Длина | 4.9784mm | - | - |
Ширина | 3.9878mm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead, Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Вес | - | 230.4mg | 506.605978mg |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.029Ohm | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-SO |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Каналов количество | - | - | 1 |
Входной ёмкости | - | - | 970pF |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 45mOhm |
Rds на макс. | - | - | 45 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8449 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS8449-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | Для сравнения |
 | SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8 | Для сравнения |