IMX5T108 Альтернативные части: MT3S20TU(TE85L) ,2SC5231A-9-TL-E

IMX5T108ROHM Semiconductor

  • IMX5T108ROHM Semiconductor
  • MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and Storage
  • 2SC5231A-9-TL-EON Semiconductor

В наличии: 7398

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT
RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SMD/SMT
3-SMD, Flat Lead
3-SMD, Gull Wing
Количество контактов
6
-
3
Диэлектрический пробой напряжение
11V
12V
10V
Количество элементов
2
-
-
Минимальная частота работы в герцах
56
-
60
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2014
2013
Код JESD-609
e1
-
e6
Безоловая кодировка
yes
-
-
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
-
-
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
-
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
11V
-
-
Максимальная потеря мощности
300mW
900mW
100mW
Форма вывода
GULL WING
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Моментальный ток
50mA
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
-
Число контактов
6
-
-
Направленность
NPN
-
-
Конфигурация элемента
Dual
Single
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
-
Продуктивность полосы частот
3.2 GHz
-
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
11V
12V
10V
Максимальный ток сбора
50mA
80mA
70mA
Частота перехода
3.2GHz
5000MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
11V
12V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
-
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
3V
1.5V
2V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
27
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
-
-
Срок поставки от производителя
-
12 Weeks
-
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Рабочая температура
-
150°C TJ
150°C TJ
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Тип транзистора
-
NPN
NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
100 @ 50mA 5V
135 @ 20mA 5V
Увеличение
-
12dB
12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
Частота - Переход
-
7GHz
7GHz
Прямоходящий ток коллектора
-
80mA
-
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
-
1.45dB @ 20mA, 5V
1dB @ 1GHz
Мощность - Макс
-
-
100mW