Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IMD2AT108 Альтернативные части: FMA1AT148
IMD2AT108ROHM Semiconductor
В наличии: 54475
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.050000 ₽
6.04 ₽
10
5.707541 ₽
57.14 ₽
100
5.384478 ₽
538.46 ₽
500
5.079698 ₽
2,539.84 ₽
1000
4.792170 ₽
4,792.17 ₽
Цена за единицу: 6.050000 ₽
Итоговая цена: 6.04 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74A, SOT-753 |
Количество контактов | 6 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 56 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2006 |
Код JESD-609 | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN SILVER COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 30mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MD2 | - |
Число контактов | 6 | 5 |
Максимальный выходной ток | 100mA | - |
Входной напряжение питания | 50V | - |
Направленность | NPN, PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Распад мощности | 300mW | 300mW |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 5mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - |
База (R1) | 22k Ω | 22k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 30mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 22k Ω |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
Высота | 1.2mm | - |
Длина | 3mm | - |
Ширина | 1.8mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G5 |
Конфигурация | - | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMH1AT110 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Для сравнения |
 | FMA1AT148 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74A, SOT-753 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 | Для сравнения |
| IMH5AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Для сравнения |