HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 6471
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.800000 ₽
19.78 ₽
10
18.679245 ₽
186.81 ₽
100
17.621923 ₽
1,762.23 ₽
500
16.624464 ₽
8,312.23 ₽
1000
15.683448 ₽
15,683.52 ₽
Цена за единицу: 19.800000 ₽
Итоговая цена: 19.78 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 1997 | 2004 |
Состояние изделия | Discontinued | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Частота | 150MHz | - | 140MHz |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 180MHz | 140MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | NPN, PNP | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 500mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 120MHz | 180MHz 140MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -6V | -6V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 13 Weeks | 10 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3/e2 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | TIN/TIN COPPER | TIN SILVER COPPER |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Моментальный ток | - | 150mA | -150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Основной номер части | - | *MZ1 | MT3 |
Число контактов | - | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | - | 150mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Максимальная частота | - | 100MHz | - |
Частота перехода | - | 180MHz | 140MHz |
Прямоходящий ток коллектора | - | -150mA | - |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.4 V | 0.5 V |
Высота | - | 1mm | - |
Длина | - | 2.9mm | - |
Ширина | - | 1.6mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -50V |