HN1B01F-GR(TE85L,F Альтернативные части: IMZ1AT108 ,IMT3AT108

HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

  • HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
  • IMZ1AT108ROHM Semiconductor
  • IMT3AT108ROHM Semiconductor

В наличии: 6471

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    19.800000 ₽

    19.78 ₽

  • 10

    18.679245 ₽

    186.81 ₽

  • 100

    17.621923 ₽

    1,762.23 ₽

  • 500

    16.624464 ₽

    8,312.23 ₽

  • 1000

    15.683448 ₽

    15,683.52 ₽

Цена за единицу: 19.800000 ₽

Итоговая цена: 19.78 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
SC-74, SOT-457
SC-74, SOT-457
Количество контактов
6
6
6
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
120
120
120
Рабочая температура
125°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
1997
2004
Состояние изделия
Discontinued
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
300mW
Частота
150MHz
-
140MHz
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
300mW
300mW
300mW
Продуктивность полосы частот
80MHz
180MHz
140MHz
Тип транзистора
NPN, PNP
NPN, PNP
2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
500mV
Максимальный ток сбора
150mA
150mA
150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 6V
120 @ 1mA 6V
120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 5mA, 50mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
120MHz
180MHz 140MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-6V
-6V
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя
-
13 Weeks
10 Weeks
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Код JESD-609
-
e3/e2
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
6
6
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
TIN/TIN COPPER
TIN SILVER COPPER
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Моментальный ток
-
150mA
-150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
10
Основной номер части
-
*MZ1
MT3
Число контактов
-
6
6
Максимальный выходной ток
-
150mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Максимальная частота
-
100MHz
-
Частота перехода
-
180MHz
140MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
-150mA
-
Максимальное напряжение на выходе
-
0.4 V
0.5 V
Высота
-
1mm
-
Длина
-
2.9mm
-
Ширина
-
1.6mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
-
SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
-50V