Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HN1B01F-GR(TE85L,F Альтернативные части: IMT3AT108 ,IMT1AT110
HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 6471
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.800000 ₽
19.78 ₽
10
18.679245 ₽
186.81 ₽
100
17.621923 ₽
1,762.23 ₽
500
16.624464 ₽
8,312.23 ₽
1000
15.683448 ₽
15,683.52 ₽
Цена за единицу: 19.800000 ₽
Итоговая цена: 19.78 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2004 | 1996 |
Состояние изделия | Discontinued | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Частота | 150MHz | 140MHz | - |
Направленность | NPN, PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 140MHz | 140MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 500mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 120MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 60V | -60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | -6V | -6V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 10 Weeks | 13 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e1 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | TIN SILVER COPPER | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V | -50V |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Моментальный ток | - | -150mA | -150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Основной номер части | - | MT3 | *MT1 |
Число контактов | - | 6 | 6 |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Частота перехода | - | 140MHz | 140MHz |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.5 V | 0.5 V |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Максимальная частота | - | - | 100MHz |
Высота | - | - | 1.1mm |
Длина | - | - | 2.9mm |
Ширина | - | - | 1.6mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |
| IMZ1AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |
| IMT3AT108 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT | Для сравнения |