HN1B01F-GR(TE85L,F Альтернативные части: IMT1AT110 ,IMZ1AT108

HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 6471

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
19.800000 ₽
19.78 ₽
10
18.679245 ₽
186.81 ₽
100
17.621923 ₽
1,762.23 ₽
500
16.624464 ₽
8,312.23 ₽
1000
15.683448 ₽
15,683.52 ₽

Цена за единицу: 19.800000 ₽

Итоговая цена: 19.78 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иHN1B01F-GR(TE85L,F	иIMT1AT110	иIMZ1AT108
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Количество контактов	6	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	125°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	1996	1997
Состояние изделия	Discontinued	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Частота	150MHz	-	-
Направленность	NPN, PNP	PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	300mW	300mW	300mW
Продуктивность полосы частот	80MHz	140MHz	180MHz
Тип транзистора	NPN, PNP	2 PNP (Dual)	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	50V	50V
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 6V	120 @ 1mA 6V	120 @ 1mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA	500mV @ 5mA, 50mA	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	120MHz	-	180MHz 140MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	-60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	-6V	-6V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	13 Weeks	13 Weeks
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	6	6
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-50V	-
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Моментальный ток	-	-150mA	150mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	10	10
Основной номер части	-	*MT1	*MZ1
Число контактов	-	6	6
Применение транзистора	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Максимальная частота	-	100MHz	100MHz
Частота перехода	-	140MHz	180MHz
Максимальное напряжение на выходе	-	0.5 V	0.4 V
Высота	-	1.1mm	1mm
Длина	-	2.9mm	2.9mm
Ширина	-	1.6mm	1.6mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	No
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Код JESD-609	-	-	e3/e2
Конечная обработка контакта	-	-	TIN/TIN COPPER
Максимальный выходной ток	-	-	150mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Прямоходящий ток коллектора	-	-	-150mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IMT1AT110	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
IMZ1AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения
IMT3AT108	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	Для сравнения