HN1A01F-GR(TE85L,F Альтернативные части: HN1B01F-GR(TE85L,F ,HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN1A01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 40

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.144231 ₽
8.10 ₽
10
7.683242 ₽
76.79 ₽
100
7.248338 ₽
724.86 ₽
500
6.838049 ₽
3,418.96 ₽
1000
6.450989 ₽
6,450.96 ₽

Цена за единицу: 8.144231 ₽

Итоговая цена: 8.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иHN1A01F-GR(TE85L,F	иHN1B01F-GR(TE85L,F	иHN2A01FU-Y(TE85L,F
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6	TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Срок поставки от производителя	4 Weeks	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	125°C TJ	125°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Discontinued	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	200mW
Направленность	PNP	NPN, PNP	PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Мощность - Макс	300mW	-	200mW
Продуктивность полосы частот	80MHz	80MHz	80MHz
Тип транзистора	2 PNP (Dual)	NPN, PNP	2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	150mA	150mA	150mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 2mA 6V	200 @ 2mA 6V	120 @ 2mA 6V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA	300mV @ 10mA, 100mA	300mV @ 10mA, 100mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	50V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Количество элементов	-	2	-
Частота	-	150MHz	-
Распад мощности	-	300mW	-
Частота - Переход	-	120MHz	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HN2A01FU-Y(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2PNP 50V 0.15A US6	Для сравнения
HN1A01F-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R	Для сравнения
2SA1162YT1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP 50V 0.15A SC-59	Для сравнения
HN1B01F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6	Для сравнения