Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HN1A01F-GR(TE85L,F Альтернативные части: 2SA1162YT1 ,HN1B01F-GR(TE85L,F
HN1A01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 40
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.144231 ₽
8.10 ₽
10
7.683242 ₽
76.79 ₽
100
7.248338 ₽
724.86 ₽
500
6.838049 ₽
3,418.96 ₽
1000
6.450989 ₽
6,450.96 ₽
Цена за единицу: 8.144231 ₽
Итоговая цена: 8.10 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 3 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 125°C TJ | -55°C~150°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2009 | 2014 |
Состояние изделия | Discontinued | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 200mW | 300mW |
Направленность | PNP | - | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Single | Dual |
Мощность - Макс | 300mW | - | - |
Продуктивность полосы частот | 80MHz | 80MHz | 80MHz |
Тип транзистора | 2 PNP (Dual) | PNP | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 150mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 6V | 120 @ 2mA 6V | 200 @ 2mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 7V | 5V |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | Non-RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 150mA | - |
Количество элементов | - | 1 | 2 |
Код JESD-609 | - | e0 | - |
Безоловая кодировка | - | no | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 240 | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Моментальный ток | - | -150mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | - |
Основной номер части | - | 2SA1162 | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | - |
Полярность/Тип канала | - | PNP | - |
Частота перехода | - | 80MHz | - |
Без свинца | - | Contains Lead | - |
Частота | - | - | 150MHz |
Распад мощности | - | - | 300mW |
Частота - Переход | - | - | 120MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HN2A01FU-Y(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 | Для сравнения |
 | HN1A01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Для сравнения |
 | 2SA1162YT1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | Для сравнения |
| HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | Для сравнения |