Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
GBU4K-E3/45 Альтернативные части: GBU4J
GBU4K-E3/45Vishay Semiconductor Diodes Division
В наличии: 42
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
194.768462 ₽
194.78 ₽
10
183.743805 ₽
1,837.50 ₽
100
173.343255 ₽
17,334.34 ₽
500
163.531346 ₽
81,765.66 ₽
1000
154.274849 ₽
154,274.86 ₽
Цена за единицу: 194.768462 ₽
Итоговая цена: 194.78 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Diode Rectifier Bridge Single 800V 4A 4-Pin Case GBU Tube | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
Количество контактов | 4 | 4 |
Материал диодного элемента | SILICON | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 4 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | UL RECOGNIZED | - |
Капацитивность | 45pF | 200pF |
Основной номер части | GBU4K | GBU4J |
Число контактов | 4 | - |
Напряжение | 800V | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Текущий | 3A | - |
Тип диода | Single Phase | Single Phase |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 5μA @ 800V | 5μA @ 600V |
Ток выпуска | 4A | 4A |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 1V @ 4A | 1V @ 4A |
Сокетная связка | ISOLATED | - |
Напряжённая мощность | 4A | 4A |
Максимальный обратный ток утечки | 5μA | 5μA |
Максимальный импульсный ток | 150A | 150A |
Напряжение включения | 1V | 1V |
Количество фаз | 1 | - |
Пиковая обратная токовая сила | 5μA | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 800V | 600V |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 150A | 150A |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | 150A | 150A |
Высота | 18.8mm | 18.8mm |
Длина | 22.3mm | 22.3mm |
Ширина | 3.56mm | 3.56mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Поставщик упаковки устройства | - | GBU |
Вес | - | 5.4g |
Опубликовано | - | 2013 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V |
Моментальный ток | - | 4A |
Распад мощности | - | 8W |
Ток - Средний прямоугольный | - | 4A |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | - | 600V |
Диоды - Мостовые Выпрямители Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBU4J | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | 4-SIP, GBU | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU | Для сравнения |
 | GBL08-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Диоды - Мостовые Выпрямители | 4-SIP, GBL | Diode Rectifier Bridge Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Bulk | Для сравнения |
| GBU4G | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | 4-SIP, GBU | ON SEMICONDUCTOR - GBU4G - BRIDGE RECTIFIER, 4A, 400V, GBU | Для сравнения |
| GBU6J | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | 4-SIP, GBU | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU | Для сравнения |