FMMTA06TADiodes Incorporated
В наличии: 6003
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.126648 ₽
10.16 ₽
10
9.553448 ₽
95.47 ₽
100
9.012679 ₽
901.24 ₽
500
8.502527 ₽
4,251.24 ₽
1000
8.021250 ₽
8,021.29 ₽
Цена за единицу: 10.126648 ₽
Итоговая цена: 10.16 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 80V | 80V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 80V | 80V |
Максимальная потеря мощности | 330mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | FMMTA06 | KST06 |
Число контактов | 3 | - |
Нормативная Марка | CECC50002-240 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 330mW | 350mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 80V | 80V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 10mA 1V | 50 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 80V | 80V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 80V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 4V |
Прямоходящий ток коллектора | 500mA | - |
Высота | 1mm | 970μm |
Длина | 3.05mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Минимальная частота работы в герцах | - | 50 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Корпусировка на излучение | - | No |