FMMTA06TA Альтернативные части: KST06MTF

FMMTA06TADiodes Incorporated

  • FMMTA06TADiodes Incorporated
  • KST06MTFON Semiconductor

В наличии: 6003

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.126648 ₽

    10.16 ₽

  • 10

    9.553448 ₽

    95.47 ₽

  • 100

    9.012679 ₽

    901.24 ₽

  • 500

    8.502527 ₽

    4,251.24 ₽

  • 1000

    8.021250 ₽

    8,021.29 ₽

Цена за единицу: 10.126648 ₽

Итоговая цена: 10.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Срок поставки от производителя
15 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
80V
80V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2002
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
80V
80V
Максимальная потеря мощности
330mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
100MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
FMMTA06
KST06
Число контактов
3
-
Нормативная Марка
CECC50002-240
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
330mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
80V
80V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
50 @ 10mA 1V
50 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
Максимальное напряжение разрушения
80V
80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
80V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
4V
Прямоходящий ток коллектора
500mA
-
Высота
1mm
970μm
Длина
3.05mm
2.9mm
Ширина
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Минимальная частота работы в герцах
-
50
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Корпусировка на излучение
-
No