FMMT624TC Альтернативные части: FMMT624TA

FMMT624TCDiodes Incorporated

  • FMMT624TCDiodes Incorporated
  • FMMT624TADiodes Incorporated

В наличии: 9933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    53.729231 ₽

    53.71 ₽

  • 10

    50.687967 ₽

    506.87 ₽

  • 100

    47.818819 ₽

    4,781.87 ₽

  • 500

    45.112115 ₽

    22,556.04 ₽

  • 1000

    42.558544 ₽

    42,558.52 ₽

Цена за единицу: 53.729231 ₽

Итоговая цена: 53.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN SuperSOT
Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r Trans Gp Bjt NPN 125V 1A 3-PIN SOT-23 T/r
Срок поставки от производителя
15 Weeks
15 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
125V
125V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2010
2010
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - annealed
Matte Tin (Sn) - annealed
Ток постоянного напряжения - номинальный
125V
125V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
1A
1A
Частота
155MHz
155MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
FMMT624
FMMT624
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
155MHz
155MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
125V
125V
Максимальный ток сбора
1A
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 200mA 10V
300 @ 200mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 50mA, 1A
250mV @ 50mA, 1A
Частота перехода
155MHz
155MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
125V
125V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
1A
Высота
1mm
1mm
Длина
2.9mm
2.9mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Число контактов
-
3
Максимальное напряжение разрушения
-
125V