Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FMB857B Альтернативные части: DMA204030R ,FMB3906
FMB857BON Semiconductor
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
29.070769 ₽
29.12 ₽
10
27.425316 ₽
274.31 ₽
100
25.872926 ₽
2,587.23 ₽
500
24.408420 ₽
12,204.26 ₽
1000
23.026813 ₽
23,026.79 ₽
Цена за единицу: 29.070769 ₽
Итоговая цена: 29.12 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PNP 45V 0.5A SSOT-6 | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Поставщик упаковки устройства | SuperSOT™-6 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V | 40V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 500mA | 100mA 500mA | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 220 | 210 | 100 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Obsolete | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -45V | - | -40V |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 300mW | 700mW |
Моментальный ток | -100mA | - | -200mA |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | - | 700mW |
Мощность - Макс | 700mW | - | - |
Тип транзистора | PNP | 2 PNP (Dual) | 2 PNP (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 500mV | 40V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA | 200mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 220 @ 2mA 5V | 210 @ 2mA 10V / 120 @ 150mA 10V | 100 @ 10mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 100μA | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | 500mV @ 10mA, 100mA / 600mV @ 30mA, 300mA | 400mV @ 5mA, 50mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 45V | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - | -40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V | -5V |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | - | DMA20403 | FMB3906 |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | - | 150MHz | 200MHz |
Частота перехода | - | 150MHz | 200MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V | 40V |
Частота - Переход | - | 150MHz 130MHz | - |
Высота | - | 1.1mm | 1mm |
Длина | - | 2.9mm | 3mm |
Ширина | - | 1.5mm | 1.7mm |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | - | - | 5 Weeks |
Вес | - | - | 36mg |
Опубликовано | - | - | 2017 |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Частота | - | - | 200MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMA204030R | Panasonic Electronic Components | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | Для сравнения |
 | FMB3906 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | Для сравнения |
| FMB3946 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
| FMB200 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose | Для сравнения |