Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FJX4006RTF Альтернативные части: DTA123YUAT106 ,DTA123JUAT106
FJX4006RTFON Semiconductor
В наличии: 24412
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 36 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 33 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | - | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Not For New Designs | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | -100mA |
Основной номер части | FJX4006 | DTA123 | DTA123 |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V | 33 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота перехода | 200MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz | 250MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | - | - |
База (R1) | 10 k Ω | 2.2 k Ω | 2.2 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | - | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 10 k Ω | 47 k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2006 | 2009 |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA123EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTA123YUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTA123JUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
 | FJX4013RTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Для сравнения |