Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FJV3113RMTF Альтернативные части: FJV3114RMTF ,FJV3103RMTF
FJV3113RMTFON Semiconductor
В наличии: 45437
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/2.2K 47K | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/22K 22K |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 13 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2013 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Основной номер части | FJV3113 | FJV3114 | FJV3103 |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 68 @ 5mA 5V | 68 @ 5mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 10V | 10V |
База (R1) | 2.2 k Ω | 4.7 k Ω | 22 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 47 k Ω | 22 k Ω |
Высота | 930μm | 930μm | 930μm |
Длина | 2.92mm | 2.92mm | 2.92mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm | 1.3mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTC114YCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
 | FJV3114RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FJV3103RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/22K 22K | Для сравнения |
| FJV3104RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/47K 47K | Для сравнения |