FGY75N60SMD Альтернативные части: IGW75N60TFKSA1 ,FGH60N60SFDTU-F085

FGY75N60SMDON Semiconductor

  • FGY75N60SMDON Semiconductor
  • IGW75N60TFKSA1Infineon Technologies
  • FGH60N60SFDTU-F085ON Semiconductor

В наличии: 9700

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
IGBT 600V 150A 428W TO247-3
IGBT 600V 60A 378W TO247
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
-
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
16 Weeks
5 Weeks
Монтаж
Through Hole
-
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3 Variant
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
7.629g
-
6.39g
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
600V
-
600V
Количество элементов
1
1
-
Условия испытания
400V, 75A, 3 Ω, 15V
400V, 75A, 5 Ω, 15V
400V, 60A, 5 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-40°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2010
2008
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
LOW CONDUCTION LOSS
-
-
Код ТН ВЭД
8541.29.00.95
-
-
Максимальная потеря мощности
750W
-
378W
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
750W
428W
378W
Применение транзистора
POWER CONTROL
POWER CONTROL
-
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
-
2.9V
Максимальный ток сбора
150A
-
120A
Время обратной рекомпенсации
55 ns
-
55 ns
Время включения
76 ns
69 ns
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 75A
2V @ 15V, 75A
2.9V @ 15V, 60A
Время выключения (toff)
161 ns
401 ns
-
Тип ИGBT
Field Stop
Trench Field Stop
Field Stop
Зарядная мощность
248nC
470nC
188nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
225A
225A
180A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
24ns/136ns
33ns/330ns
26ns/134ns
Переключаемый энергопотребление
2.3mJ (on), 770μJ (off)
4.5mJ
1.97mJ (on), 570μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
-
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6.5V
-
-
Время падения максимальное (tf)
29ns
-
-
Высота
20.32mm
-
-
Длина
15.87mm
-
-
Ширина
4.82mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
-
Поверхностный монтаж
-
NO
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
150A
-
Серия
-
TrenchStop®
Automotive, AEC-Q101
Положение терминала
-
SINGLE
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
-
Код JEDEC-95
-
TO-247AD
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
600V
-
Код соответствия REACH
-
-
not_compliant