FGPF7N60RUFDTU Альтернативные части: STGF14NC60KD ,STGF7NC60HD

FGPF7N60RUFDTUON Semiconductor

В наличии: 1323

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
58.278750 ₽
58.24 ₽
10
54.979973 ₽
549.86 ₽
100
51.867898 ₽
5,186.81 ₽
500
48.931978 ₽
24,465.93 ₽
1000
46.162239 ₽
46,162.23 ₽

Цена за единицу: 58.278750 ₽

Итоговая цена: 58.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGPF7N60RUFDTU	иSTGF14NC60KD	иSTGF7NC60HD
Производитель:	ON Semiconductor	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 14A 41W TO220F	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	300V, 7A, 30 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2004	-	-
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Завершение	Through Hole	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	41W	28W	25W
Моментальный ток	14A	11A	6A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	41W	28W	25W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время подъема	60ns	8.5ns	8.5ns
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	14A	11A	10A
Время обратной рекомпенсации	65ns	37 ns	37 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 7A	2.5V @ 15V, 7A	2.5V @ 15V, 7A
Зарядная мощность	24nC	34.4nC	35nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	21A	50A	50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	60ns/60ns	22.5ns/116ns	18.5ns/72ns
Переключаемый энергопотребление	230μJ (on), 100μJ (off)	82μJ (on), 155μJ (off)	95μJ (on), 115μJ (off)
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	NRND (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	-	8 Weeks	-
Вес	-	2.299997g	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Время отключения	-	116 ns	72 ns
Серия	-	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	-	e3	e3
Количество выводов	-	3	3
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed
Дополнительная Характеристика	-	ULTRA FAST	-
Основной номер части	-	STGF14	STGF7
Число контактов	-	3	3
Сокетная связка	-	ISOLATED	ISOLATED
Время задержки включения	-	22.5 ns	18.5 ns
Применение транзистора	-	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	-	31.5 ns	25.5 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	7A	-
Время выключения (toff)	-	340 ns	221 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	7V	5.75V
Высота	-	9.3mm	9.3mm
Длина	-	10.4mm	10.4mm
Ширина	-	4.6mm	4.6mm
Корпусировка на излучение	-	No	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF7NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	Для сравнения
FGPF7N60LSDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 14A 45W TO220F	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения